STW45N60DM6

STMicroelectronics
511-STW45N60DM6
STW45N60DM6

制造商:

说明:
MOSFET N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 packag

ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

库存量: 357

库存:
357 可立即发货
生产周期:
20 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥68.9865 ¥68.99
¥40.3636 ¥403.64
¥34.4085 ¥3,440.85

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
30 A
99 mOhms
- 25 V, 25 V
3.25 V
44 nC
- 55 C
+ 150 C
210 W
Enhancement
MDmesh
Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 7.3 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 5.3 ns
系列: STW45N60DM6
工厂包装数量: 600
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 50 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
单位重量: 6 g
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

DM6 N通道功率MOSFET

STMicroelectronics DM6 N通道功率MOSFET是MDmesh™ DM6快速恢复二极管的组成部分。该款汽车级N通道功率MOSFET具有极低恢复电荷 (Qrr)、极短恢复时间 (trr) 以及低RDS(on)。DM6功率MOSFET具有低栅极电荷、低输入电容、低导通电阻、高dv/dt耐受性及齐纳保护功能。该功率MOSFET适用于要求极为苛刻的高效转换器,并且是桥式拓扑和ZVS相移转换器的理想之选。