STW48N60M2-4

STMicroelectronics
511-STW48N60M2-4
STW48N60M2-4

制造商:

说明:
MOSFET N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package

ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

供货情况

库存:
无库存
生产周期:
20 周 预计工厂生产时间。
最少: 600   倍数: 600
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
此产品免运费

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥34.9057 ¥20,943.42

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
600 V
42 A
60 mOhms
- 25 V, 25 V
2 V
70 nC
- 55 C
+ 150 C
300 W
Enhancement
MDmesh
Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: SG
下降时间: 119 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 17 ns
系列: STW48N60M2-4
工厂包装数量: 600
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 13 ns
典型接通延迟时间: 18.5 ns
单位重量: 6 g
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

MDmesh™ II 功率 MOSFET

意法半导体 MDmesh™ II 功率 MOSFET 将垂直结构与 STM 带状布局相结合,产生了业界最低的导通电阻和栅极电荷,使其能适应要求最高的高效转换器。这些 MDmesh™ II 功率 MOSFET 完全绝缘,采用薄型封装,加长了从引脚到散热盘的爬电路径。它们经 100% 雪崩测试,输入电容、栅极电荷及栅极输入电阻低。
了解更多