STW88N65M5

STMicroelectronics
511-STW88N65M5
STW88N65M5

制造商：

说明：
MOSFET N-Ch 650V 0.024 Ohm 84A MDMesh M5
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¥82.2979 ¥822.98
¥81.0662 ¥8,106.62

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
84 A
29 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
204 nC
- 55 C
+ 150 C
450 W
Enhancement
MDmesh
Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: IT
产品类型: MOSFETs
系列: Mdmesh M5
工厂包装数量: 600
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
单位重量: 6 g
找到的产品:
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

功率MOSFET和IGBT中的最新技术

STMicroelectronics为功率MOSFET和IGBT提供最新技术。ST提供各种MOSFET和IGBT组合，满足SMPS、照明、电机控制和各种工业应用的特定需要。ST的产品组合包括高压超结MOSFET和沟槽式栅极场终止IGBT（用于硬开关和软开关拓扑）和低压沟槽式MOSFET（用于电源转换和BLDC电机驱动器）。ST的最新款1200V SiC MOSFET具有业内最高的额定结温 (200°C)，超小RDS(on) 区域（ 随温度变化非常小）以及出色的开关性能，从而实现更有效和更紧凑的SMPS设计。对于电机控制，M系列IGBT具有经过优化的VCE(SAT) 和 E (off) 平衡以及超高的短路额定值。了解ST出品的用于任何电源设计的全系列MOSFET和IGBT产品。

STM MDmeshV Power MOSFETs - Thru-Hole


N-通道 MDmesh™ V 功率 MOSFET

意法半导体 N 沟道 MDmesh™ V 功率 MOSFET 依赖 MDmesh™ V 与基于创新专有垂直工艺的开创性功率 MOSFET 技术，并结合了意法半导体著名的 PowerMESH™ 水平布局结构。意法半导体 N 沟道 MDmesh™ V 功率 MOSFET 具有极低导通电阻，在硅基功率 MOSFET 中无以匹敌，使其特别适合需要出色功率密度和超高效率的应用。
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