STWA50N65DM2AG

Name: STMicroelectronics STWA50N65DM2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STWA50N65DM2AG
Price: 32.79 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

511-STWA50N65DM2AG

制造商编号：

STWA50N65DM2AG

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 0.070 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	38 A
Rds On-漏源导通电阻:	87 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 25 V, 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	69 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	300 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
商标名:	MDmesh
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	SG
产品类型:	MOSFETs
系列:	STWA50N65DM2AG
工厂包装数量:	600
子类别:	Transistors
单位重量:	6 g