STWA70N65DM6

STMicroelectronics
511-STWA70N65DM6
STWA70N65DM6

制造商：

说明：
MOSFET N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
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数据表:
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库存量: 596

库存：
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数量大于596的订购须受最低订购要求的限制。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥107.4517 ¥107.45
¥91.4057 ¥914.06
¥79.0774 ¥7,907.74
¥69.8905 ¥41,934.30

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
68 A
40 mOhms
- 25 V, 25 V
4.75 V
125 nC
- 55 C
+ 150 C
450 W
Enhancement
MDmesh
Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
组装国: CN
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 10.8 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 52 ns
工厂包装数量: 600
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 107 ns
典型接通延迟时间: 30.4 ns
单位重量: 6 g
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STWA70N65DM6 N通道650V 68A功率MOSFET

STWA70N65DM6 N通道650V 68A功率MOSFET是一款采用TO-247长引线封装的MDmesh DM6快速恢复二极管。STWA70N65DM6将极低恢复电荷 (Qrr)、极短恢复时间 (trr) 以及每区域出色的漏源导通电阻 (RDS(on)) 与高效的开关特性相结合。借助这些特性，该器件非常适合用于要求苛刻的高效桥式拓扑和ZVS（零电压开关）相移转换器。

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