TSG65N190CR RVG

Taiwan Semiconductor
821-TSG65N190CRRVG
TSG65N190CR RVG

制造商：

说明：
GaN FETs 650V, 11A, PDFN56, E-mode GaN Transistor

数据表:
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供货情况

库存：

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Taiwan Semiconductor
产品种类: GaN 场效应晶体管
交货限制:
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RoHS:  
SMD/SMT
PDFN-6
N-Channel
1 Channel
650 V
11 A
190 mOhms
- 7 V, + 7 V
2.6 V
2.2 nC
- 55 C
+ 150 C
Enhancement
AEC-Q101
商标: Taiwan Semiconductor
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: TW, CN
下降时间: 10 ns
湿度敏感性: Yes
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
产品类型: GaN FETs
上升时间: 5 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
技术: Si
典型关闭延迟时间: 8 ns
典型接通延迟时间: 5 ns
零件号别名: TSG65N190CR
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已选择的属性: 0

数据表

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TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

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