CSD13202Q2

Name: Texas Instruments CSD13202Q2
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD13202Q2
Price: 5.05 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

595-CSD13202Q2

制造商编号：

CSD13202Q2

制造商：

Texas Instruments

说明：

MOSFET N-CH Power MOSFET 12 V 9.3mohm

数据表:

CSD13202Q2 数据表

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封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥5.7065	¥5.71
	¥3.5369	¥35.37
	¥2.3843	¥238.43
	¥1.7176	¥858.80
	¥1.469	¥1,469.00
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥1.469	¥4,407.00

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Texas Instruments
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	WSON-6
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	12 V
Id-连续漏极电流:	14.4 A
Rds On-漏源导通电阻:	9.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 8 V, 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	580 mV
Qg-栅极电荷:	5.1 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	2.7 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	NexFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Texas Instruments
配置:	Single
组装国:	CN
扩散国家:	CN
原产国:	CN
下降时间:	13.6 ns
正向跨导 - 最小值:	44 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	28 ns
系列:	CSD13202Q2
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	11 ns
典型接通延迟时间:	4.5 ns
单位重量:	6 mg

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET可以为相同的阻抗提供二分之一的栅极电荷，以便设计人员能够实现90%的供电效率并使频率加倍。TI NexFET功率MOSFET实现了垂直电流与横向功率MOSFET的结合。该系列器件具有较低的导通电阻，只需极低的栅极电荷，且需要采用行业标准封装外形，这种组合是现有硅平台所无法实现的。TI NexFET功率MOSFET技术可以提高大功率计算、网络、服务器系统和电源中的能源利用率。