CSD13383F4T

Texas Instruments
595-CSD13383F4T
CSD13383F4T

制造商：

说明：
MOSFET 12V N-Channel FemtoF ET MOSFET A 595-CSD A 595-CSD13383F4

数据表:
ECAD模型:
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库存量: 511

库存：
511 可立即发货
生产周期：
12 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按250的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥11.7407 ¥11.74
¥7.3789 ¥73.79
¥4.2375 ¥423.75
整卷卷轴（请按250的倍数订购）
¥4.2375 ¥1,059.38
¥3.616 ¥1,808.00
¥3.2431 ¥3,243.10
¥3.1075 ¥7,768.75
¥3.0736 ¥15,368.00
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PICOSTAR-3
N-Channel
1 Channel
12 V
2.9 A
44 mOhms
- 10 V, 10 V
1 V
2.6 nC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
FemtoFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Texas Instruments
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: PH
下降时间: 315 ns
正向跨导 - 最小值: 5.4 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 123 ns
系列: CSD13383F4
工厂包装数量: 250
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 96 ns
典型接通延迟时间: 39 ns
单位重量: 0.400 mg
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
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已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

FemtoFET 功率 MOSFET

德州仪器 FemtoFET 功率 MOSFET 具有超小占位面积（0402 外壳尺寸），并有超低电阻（与竞争产品相比低 70%）。这些 MOSFET 具有超低的 Qg, Qgd 规格，并有最优的 ESD 额定值。它们采用基板栅格阵列(LGA)封装。这种封装提高了硅含量，使其特别适合空间受限的应用。这些功率 MOSFET 具有低功耗和低开关损耗，提高了轻负载下的性能。这些器件的典型应用有手持设备、移动设备、负载开关、通用开关、电池应用等。
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