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CSD16401Q5

Name: Texas Instruments CSD16401Q5
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD16401Q5
Price: 24.52 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

595-CSD16401Q5

制造商编号：

CSD16401Q5

制造商：

Texas Instruments

说明：

MOSFET N-Ch NexFET Power MO SFETs A 595-CSD1640 A 595-CSD16401Q5T

数据表:

CSD16401Q5 数据表

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单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥27.7076	¥27.71
	¥18.0348	¥180.35
	¥12.5769	¥1,257.69
	¥10.8367	¥5,418.35
	¥10.509	¥10,509.00
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥9.9214	¥24,803.50

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

备用包装

制造商零件编号:

CSD16401Q5T

包装:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供货情况:

库存量

单价:

¥34.7362

最小:

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制造商：

Texas Instruments

制造商编号：

CSD16401Q5T

说明：

MOSFET 25-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD16401Q5

与当前部分进行比较

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Texas Instruments
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	VSON-CLIP-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	25 V
Id-连续漏极电流:	100 A
Rds On-漏源导通电阻:	1.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 16 V, 16 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.5 V
Qg-栅极电荷:	21 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	3.1 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	NexFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Texas Instruments
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	PH
下降时间:	12.7 ns
正向跨导 - 最小值:	168 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	30 ns
系列:	CSD16401Q5
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	20 ns
典型接通延迟时间:	16.6 ns
单位重量:	300 mg

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
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Texas Instruments NexFET™ Power MOSFET

The Texas Instruments N-Channel NexFET™ Power MOSFET series features low on resistance coupled with extremely low gate charge, making it ideal for high efficiency/high frequency switching converter and Synchronous FET applications. The TI NexFET Power MOSFET combines vertical current flow with a lateral power MOSFET for a level of performance not previously possible with existing silicon platforms. The TI NexFET minimizes losses in power conversion applications and allows designers to achieve 90-percent power supply efficiencies from light to full loads with high output currents and low duty cycles.

NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET可以为相同的阻抗提供二分之一的栅极电荷，以便设计人员能够实现90%的供电效率并使频率加倍。TI NexFET功率MOSFET实现了垂直电流与横向功率MOSFET的结合。该系列器件具有较低的导通电阻，只需极低的栅极电荷，且需要采用行业标准封装外形，这种组合是现有硅平台所无法实现的。TI NexFET功率MOSFET技术可以提高大功率计算、网络、服务器系统和电源中的能源利用率。