CSD16556Q5B

Texas Instruments
595-CSD16556Q5B
CSD16556Q5B

制造商：

说明：
MOSFET 25V NexFET N Ch Pwr MosFET

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解Texas Instruments CSD16556Q5B详情

库存量: 3,760

库存：
3,760 可立即发货
生产周期：
6 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥25.2329 ¥25.23
¥16.3737 ¥163.74
¥11.3339 ¥1,133.39
¥9.5146 ¥4,757.30
¥8.9383 ¥8,938.30
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
¥8.8479 ¥22,119.75
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
VSON-CLIP-8
N-Channel
1 Channel
25 V
100 A
1.2 mOhms
- 20 V, 20 V
1.4 V
37 nC
- 55 C
+ 150 C
3.2 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Texas Instruments
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: PH
下降时间: 13 ns
正向跨导 - 最小值: 2 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 34 ns
系列: CSD16556Q5B
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 25 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
单位重量: 134.700 mg
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

NexFET N通道功率MOSFET

Texas Instruments NexFET N通道功率MOSFET设计用于在功率转换应用中最大限度地降低损耗。这些N通道器件具有超低Qg和Qd以及低热阻。这些器件可以耐受雪崩，采用SON 5mm x 6mm塑料封装。

TI N-Channel 8-23-12


NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET可以为相同的阻抗提供二分之一的栅极电荷，以便设计人员能够实现90%的供电效率并使频率加倍。TI NexFET功率MOSFET实现了垂直电流与横向功率MOSFET的结合。该系列器件具有较低的导通电阻，只需极低的栅极电荷，且需要采用行业标准封装外形，这种组合是现有硅平台所无法实现的。TI NexFET功率MOSFET技术可以提高大功率计算、网络、服务器系统和电源中的能源利用率。

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。