CSD17571Q2

Texas Instruments
595-CSD17571Q2
CSD17571Q2

制造商：

说明：
MOSFET 30V N-CH Pwr MOSFET

数据表:
ECAD模型:
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库存量: 10,212

库存：
10,212
可立即发货
在途量:
9,000
生产周期：
6
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥5.6274 ¥5.63
¥3.503 ¥35.03
¥2.2487 ¥224.87
¥1.7176 ¥858.80
¥1.4577 ¥1,457.70
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥1.2204 ¥3,661.20
¥1.1413 ¥6,847.80
¥1.017 ¥9,153.00
¥0.97632 ¥23,431.68
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
WSON-6
N-Channel
1 Channel
30 V
22 A
24 mOhms
- 20 V, 20 V
1.3 V
2.4 nC
- 55 C
+ 150 C
2.5 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Texas Instruments
配置: Single
组装国: CN
扩散国家: CN
原产国: CN
开发套件: BOOSTXL-ULN2003
下降时间: 2.6 ns
正向跨导 - 最小值: 43 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 19 ns
系列: CSD17571Q2
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 8 ns
典型接通延迟时间: 5.3 ns
单位重量: 5.600 mg
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

SPICE Models

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

NexFET N通道功率MOSFET

Texas Instruments NexFET N通道功率MOSFET设计用于在功率转换应用中最大限度地降低损耗。这些N通道器件具有超低Qg和Qd以及低热阻。这些器件可以耐受雪崩，采用SON 5mm x 6mm塑料封装。

TI N-Channel 8-23-12


NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET可以为相同的阻抗提供二分之一的栅极电荷，以便设计人员能够实现90%的供电效率并使频率加倍。TI NexFET功率MOSFET实现了垂直电流与横向功率MOSFET的结合。该系列器件具有较低的导通电阻，只需极低的栅极电荷，且需要采用行业标准封装外形，这种组合是现有硅平台所无法实现的。TI NexFET功率MOSFET技术可以提高大功率计算、网络、服务器系统和电源中的能源利用率。

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