CSD17579Q3AT

Texas Instruments
595-CSD17579Q3AT
CSD17579Q3AT

制造商：

说明：
MOSFET 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1757 A 595-CSD17579Q3A

数据表:
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单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按250的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥15.3906 ¥15.39
¥9.8423 ¥98.42
¥5.7404 ¥574.04
整卷卷轴（请按250的倍数订购）
¥5.7404 ¥1,435.10
¥4.9494 ¥2,474.70
¥4.4861 ¥4,486.10
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
VSONP-8
N-Channel
1 Channel
30 V
20 A
11.8 mOhms
- 20 V, 20 V
1.5 V
5.3 nC
- 55 C
+ 150 C
29 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Texas Instruments
配置: Single
组装国: CN
扩散国家: CN
原产国: CN
下降时间: 1 ns
正向跨导 - 最小值: 37 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 5 ns
系列: CSD17579Q3A
工厂包装数量: 250
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 11 ns
典型接通延迟时间: 2 ns
单位重量: 27.300 mg
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已选择的属性: 0

数据表

Models

SPICE Models

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET可以为相同的阻抗提供二分之一的栅极电荷，以便设计人员能够实现90%的供电效率并使频率加倍。TI NexFET功率MOSFET实现了垂直电流与横向功率MOSFET的结合。该系列器件具有较低的导通电阻，只需极低的栅极电荷，且需要采用行业标准封装外形，这种组合是现有硅平台所无法实现的。TI NexFET功率MOSFET技术可以提高大功率计算、网络、服务器系统和电源中的能源利用率。

TI N-Channel 8-23-12


NexFET N通道功率MOSFET

Texas Instruments NexFET N通道功率MOSFET设计用于在功率转换应用中最大限度地降低损耗。这些N通道器件具有超低Qg和Qd以及低热阻。这些器件可以耐受雪崩，采用SON 5mm x 6mm塑料封装。

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