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CSD18501Q5A

Name: Texas Instruments CSD18501Q5A
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD18501Q5A
Price: 20.35 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
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Mouser编号：

595-CSD18501Q5A

制造商编号：

CSD18501Q5A

制造商：

Texas Instruments

说明：

MOSFET 40V N-Channel NexFET Power MOSFET

数据表:

CSD18501Q5A 数据表

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¥-.--

总价:

¥-.--

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封装:

整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥22.9955	¥23.00
	¥15.2211	¥152.21
	¥10.9158	¥1,091.58
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥10.9158	¥27,289.50

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Texas Instruments
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	VSONP-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	161 A
Rds On-漏源导通电阻:	3.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.4 V
Qg-栅极电荷:	42 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	150 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	NexFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Texas Instruments
配置:	Single
组装国:	CN
扩散国家:	CN
原产国:	CN
开发套件:	EVMX777BG-01-00-00, EVMX777G-01-20-00
下降时间:	3.4 ns
正向跨导 - 最小值:	118 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	10 ns
系列:	CSD18501Q5A
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	20 ns
典型接通延迟时间:	4.7 ns
单位重量:	87.800 mg

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USHTS:: 8541290065
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ECCN:: EAR99

CSD1850xQ5A 40V N-Channel NexFET Power MOSFETs

Texas Instruments CSD1850xQ5A devices are 40V N-Channel NexFET Power MOSFETs that are designed to minimize losses in power conversion applications. TI CSD18501Q5A features R_DS(ON) Max @ VGS=4.5V of 4.3mΩ and R_DS(ON) Max @ VGS=10V of 3.2mΩ while CSD18503Q5A features R_DS(ON) Max @ VGS=4.5V of 6.2mΩ and R_DS(ON) Max @ VGS=10V of 4.3mΩ. CSD18504Q5A features R_DS(ON) Max @ VGS=4.5V of 9.8mΩ and R_DS(ON) Max @ VGS=10V of 6.6mΩ. Texas Instruments CSD1850xQ5A 40V N-channel NexFET Power MOSFETs are ideal for use in DC-DC conversion, secondary side synchronous rectifier, and battery motor control applications.

NexFET N通道功率MOSFET

Texas Instruments NexFET N通道功率MOSFET设计用于在功率转换应用中最大限度地降低损耗。这些N通道器件具有超低Qg和Qd以及低热阻。这些器件可以耐受雪崩，采用SON 5mm x 6mm塑料封装。

TI N-Channel 8-23-12

NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET可以为相同的阻抗提供二分之一的栅极电荷，以便设计人员能够实现90%的供电效率并使频率加倍。TI NexFET功率MOSFET实现了垂直电流与横向功率MOSFET的结合。该系列器件具有较低的导通电阻，只需极低的栅极电荷，且需要采用行业标准封装外形，这种组合是现有硅平台所无法实现的。TI NexFET功率MOSFET技术可以提高大功率计算、网络、服务器系统和电源中的能源利用率。