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CSD18503KCS

Name: Texas Instruments CSD18503KCS
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD18503KCS
Price: 18.37 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

595-CSD18503KCS

制造商编号：

CSD18503KCS

制造商：

Texas Instruments

说明：

MOSFET 40V N-Ch NexFET Powe r MOSFET

数据表:

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数量	单价	总价
	¥20.7581	¥20.76
	¥10.2604	¥102.60
	¥9.0965	¥909.65
	¥7.8422	¥3,921.10
	¥6.8026	¥6,802.60

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Texas Instruments
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	100 A
Rds On-漏源导通电阻:	5.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.9 V
Qg-栅极电荷:	30 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	143 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	NexFET
封装:	Tube
商标:	Texas Instruments
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	CN
下降时间:	6.8 ns
正向跨导 - 最小值:	98 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	5.3 ns
系列:	CSD18503KCS
工厂包装数量:	50
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	14 ns
典型接通延迟时间:	5.7 ns
单位重量:	2 g

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已选择的属性: 0

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

TI N-Channel 8-23-12

NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET可以为相同的阻抗提供二分之一的栅极电荷，以便设计人员能够实现90%的供电效率并使频率加倍。TI NexFET功率MOSFET实现了垂直电流与横向功率MOSFET的结合。该系列器件具有较低的导通电阻，只需极低的栅极电荷，且需要采用行业标准封装外形，这种组合是现有硅平台所无法实现的。TI NexFET功率MOSFET技术可以提高大功率计算、网络、服务器系统和电源中的能源利用率。