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CSD18510KCS

Name: Texas Instruments CSD18510KCS
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD18510KCS
Price: 20.2 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
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Mouser编号：

595-CSD18510KCS

制造商编号：

CSD18510KCS

制造商：

Texas Instruments

说明：

MOSFET 40-V N channel NexF ET power MOSFET si

数据表:

CSD18510KCS 数据表

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数量	单价	总价
	¥22.826	¥22.83
	¥11.3339	¥113.34
	¥10.0909	¥1,009.09
	¥8.6897	¥4,344.85
	¥7.684	¥7,684.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Texas Instruments
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	100 A
Rds On-漏源导通电阻:	2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.4 V
Qg-栅极电荷:	153 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	250 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	NexFET
封装:	Tube
商标:	Texas Instruments
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	CN
下降时间:	8 ns
正向跨导 - 最小值:	330 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	8 ns
系列:	CSD18510KCS
工厂包装数量:	50
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	29 ns
典型接通延迟时间:	10 ns
单位重量:	2 g

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已选择的属性: 0

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET可以为相同的阻抗提供二分之一的栅极电荷，以便设计人员能够实现90%的供电效率并使频率加倍。TI NexFET功率MOSFET实现了垂直电流与横向功率MOSFET的结合。该系列器件具有较低的导通电阻，只需极低的栅极电荷，且需要采用行业标准封装外形，这种组合是现有硅平台所无法实现的。TI NexFET功率MOSFET技术可以提高大功率计算、网络、服务器系统和电源中的能源利用率。