CSD19501KCS

Texas Instruments
595-CSD19501KCS
CSD19501KCS

制造商：

说明：
MOSFET 80V N-CH NexFET Pwr MOSFET

数据表:
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库存量: 314

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单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥21.922 ¥21.92
¥10.8367 ¥108.37
¥10.0118 ¥1,001.18
¥7.797 ¥3,898.50
¥7.2998 ¥7,299.80

产品属性 属性值 选择属性
Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
80 V
100 A
6.6 mOhms
- 20 V, 20 V
2.6 V
38 nC
- 55 C
+ 175 C
217 W
Enhancement
NexFET
Tube
商标: Texas Instruments
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 5 ns
正向跨导 - 最小值: 137 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 15 ns
系列: CSD19501KCS
工厂包装数量: 50
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
单位重量: 2 g
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已选择的属性: 0

数据表

Images

PCN

SPICE Models

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NexFET N通道功率MOSFET

Texas Instruments NexFET N通道功率MOSFET设计用于在功率转换应用中最大限度地降低损耗。这些N通道器件具有超低Qg和Qd以及低热阻。这些器件可以耐受雪崩，采用SON 5mm x 6mm塑料封装。

TI N-Channel 8-23-12


NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET可以为相同的阻抗提供二分之一的栅极电荷，以便设计人员能够实现90%的供电效率并使频率加倍。TI NexFET功率MOSFET实现了垂直电流与横向功率MOSFET的结合。该系列器件具有较低的导通电阻，只需极低的栅极电荷，且需要采用行业标准封装外形，这种组合是现有硅平台所无法实现的。TI NexFET功率MOSFET技术可以提高大功率计算、网络、服务器系统和电源中的能源利用率。

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