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CSD19503KCS

Name: Texas Instruments CSD19503KCS
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD19503KCS
Price: 18.37 RMB
Availability: InStock

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请参阅产品规格

Mouser编号：

595-CSD19503KCS

制造商编号：

CSD19503KCS

制造商：

Texas Instruments

说明：

MOSFET 80V 7.6mOhm N-CH Pwr MOSFET

数据表:

CSD19503KCS 数据表

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¥-.--

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¥-.--

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数量	单价	总价
	¥20.7581	¥20.76
	¥11.2548	¥112.55
	¥9.0965	¥909.65
	¥7.4806	¥3,740.30
	¥6.4975	¥6,497.50
	¥6.3506	¥15,876.50
	¥6.1472	¥30,736.00
	¥6.1246	¥61,246.00
25,000	报价

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Texas Instruments
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	80 V
Id-连续漏极电流:	100 A
Rds On-漏源导通电阻:	9.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.8 V
Qg-栅极电荷:	28 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	188 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	NexFET
封装:	Tube
商标:	Texas Instruments
配置:	Single
组装国:	CN
扩散国家:	CN
原产国:	CN
下降时间:	2 ns
正向跨导 - 最小值:	110 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	3 ns
系列:	CSD19503KCS
工厂包装数量:	50
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	11 ns
典型接通延迟时间:	7 ns
单位重量:	2 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
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MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

NexFET N通道功率MOSFET

Texas Instruments NexFET N通道功率MOSFET设计用于在功率转换应用中最大限度地降低损耗。这些N通道器件具有超低Qg和Qd以及低热阻。这些器件可以耐受雪崩，采用SON 5mm x 6mm塑料封装。

TI N-Channel 8-23-12

NexFET™功率MOSFET

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