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CSD19506KTT

Name: Texas Instruments CSD19506KTT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD19506KTT
Price: 37.26 RMB
Availability: InStock

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请参阅产品规格

Mouser编号：

595-CSD19506KTT

制造商编号：

CSD19506KTT

制造商：

Texas Instruments

说明：

MOSFET 80-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD19506KTTT

数据表:

CSD19506KTT 数据表

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¥-.--

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¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥42.1038	¥42.10
	¥30.849	¥308.49
	¥24.3967	¥2,439.67
整卷卷轴（请按500的倍数订购）
	¥20.3513	¥10,175.65
	¥19.6055	¥19,605.50

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

备用包装

制造商零件编号:

CSD19506KTTT

包装:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供货情况:

库存量

单价:

¥61.0426

最小:

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制造商：

Texas Instruments

制造商编号：

CSD19506KTTT

说明：

MOSFET 80-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD19506KTT

与当前部分进行比较

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Texas Instruments
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	D2PAK-3 (TO-263-3)
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	80 V
Id-连续漏极电流:	150 A
Rds On-漏源导通电阻:	2.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	120 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	375 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	NexFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Texas Instruments
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	CN
下降时间:	5 ns
正向跨导 - 最小值:	297 S
湿度敏感性:	Yes
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	7 ns
系列:	CSD19506KTT
工厂包装数量:	500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	30 ns
典型接通延迟时间:	14 ns
单位重量:	2 g

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ECCN:: EAR99

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