CSD19534KCS

Texas Instruments
595-CSD19534KCS
CSD19534KCS

制造商：

说明：
MOSFET 100V N-Channel NexFE T Pwr MOSFET

数据表:
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库存量: 1,068

库存：
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单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥16.7127 ¥16.71
¥8.1247 ¥81.25
¥7.2659 ¥726.59
¥5.7743 ¥2,887.15
¥4.9494 ¥4,949.40

产品属性 属性值 选择属性
Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
100 V
100 A
16.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2.4 V
16.4 nC
- 55 C
+ 175 C
118 W
Enhancement
NexFET
Tube
商标: Texas Instruments
配置: Single
组装国: CN
扩散国家: CN
原产国: CN
下降时间: 1 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 2 ns
系列: CSD19534KCS
工厂包装数量: 50
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 9 ns
典型接通延迟时间: 6 ns
单位重量: 2 g
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已选择的属性: 0

数据表

Images

PCN

SPICE Models

Technical Resources

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854239099
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

NexFET N通道功率MOSFET

Texas Instruments NexFET N通道功率MOSFET设计用于在功率转换应用中最大限度地降低损耗。这些N通道器件具有超低Qg和Qd以及低热阻。这些器件可以耐受雪崩，采用SON 5mm x 6mm塑料封装。

NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET可以为相同的阻抗提供二分之一的栅极电荷，以便设计人员能够实现90%的供电效率并使频率加倍。TI NexFET功率MOSFET实现了垂直电流与横向功率MOSFET的结合。该系列器件具有较低的导通电阻，只需极低的栅极电荷，且需要采用行业标准封装外形，这种组合是现有硅平台所无法实现的。TI NexFET功率MOSFET技术可以提高大功率计算、网络、服务器系统和电源中的能源利用率。

TI N-Channel 8-23-12


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