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CSD19535KTT

Name: Texas Instruments CSD19535KTT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD19535KTT
Price: 30.52 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

595-CSD19535KTT

制造商编号：

CSD19535KTT

制造商：

Texas Instruments

说明：

MOSFET 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19535KTTT

数据表:

CSD19535KTT 数据表

ECAD模型:

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库存量: 929

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¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥34.4876	¥34.49
	¥22.7469	¥227.47
	¥16.2946	¥1,629.46
整卷卷轴（请按500的倍数订购）
	¥13.2323	¥6,616.15

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

备用包装

制造商零件编号:

CSD19535KTTT

包装:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供货情况:

库存量

单价:

¥48.3075

最小:

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制造商：

Texas Instruments

制造商编号：

CSD19535KTTT

说明：

MOSFET 100V N-Channel NexFE T Power MOSFET A 59 A 595-CSD19535KTT

与当前部分进行比较

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Texas Instruments
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	D2PAK-3 (TO-263-3)
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	197 A
Rds On-漏源导通电阻:	3.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.2 V
Qg-栅极电荷:	75 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	300 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	NexFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Texas Instruments
配置:	Single
组装国:	CN
扩散国家:	CN
原产国:	CN
下降时间:	15 ns
正向跨导 - 最小值:	301 S
湿度敏感性:	Yes
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	18 ns
系列:	CSD19535KTT
工厂包装数量:	500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	21 ns
典型接通延迟时间:	9 ns
单位重量:	2.200 g