CSD22202W15

Texas Instruments
595-CSD22202W15
CSD22202W15

制造商：

说明：
MOSFET P-CH NexFET Pwr MOSF ET

数据表:
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库存量: 8,431

库存：
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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥8.5202 ¥8.52
¥5.2771 ¥52.77
¥3.5369 ¥353.69
¥2.7572 ¥1,378.60
¥2.3956 ¥2,395.60
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥1.9549 ¥5,864.70
¥1.8306 ¥10,983.60
¥1.7515 ¥15,763.50
¥1.7063 ¥40,951.20
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DSBGA-9
P-Channel
1 Channel
8 V
5 A
17.4 mOhms
- 6 V, 6 V
800 mV
6.5 nC
- 55 C
+ 150 C
1.5 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Texas Instruments
配置: Single
组装国: PH
扩散国家: CN
原产国: PH
下降时间: 38 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 8.4 ns
系列: CSD22202W15
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 109 ns
典型接通延迟时间: 10.4 ns
单位重量: 2.500 mg
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已选择的属性: 0

数据表

Images

Models

SPICE Models

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET可以为相同的阻抗提供二分之一的栅极电荷，以便设计人员能够实现90%的供电效率并使频率加倍。TI NexFET功率MOSFET实现了垂直电流与横向功率MOSFET的结合。该系列器件具有较低的导通电阻，只需极低的栅极电荷，且需要采用行业标准封装外形，这种组合是现有硅平台所无法实现的。TI NexFET功率MOSFET技术可以提高大功率计算、网络、服务器系统和电源中的能源利用率。

TI P-Channel MOSFETs - 8-23-12


NexFET P通道功率MOSFET

Texas Instruments NexFET P通道功率MOSFET外形极为纤薄，采用超小外形尺寸封装，设计用于实现尽可能低的导通电阻和栅极电荷，具有出色的散热特性。这些NexFET MOSFET具有超低导通电阻以及超低Qg和Qgd，外形尺寸仅为1.0mm x 1.5mm。

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