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CSD22204WT

Name: Texas Instruments CSD22204WT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD22204WT
Price: 12.96 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
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Mouser编号：

595-CSD22204WT

制造商编号：

CSD22204WT

制造商：

Texas Instruments

说明：

MOSFET 8-V P-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD22204W

数据表:

CSD22204WT 数据表

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库存量: 134

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¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按250的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥14.6448	¥14.64
	¥9.3451	¥93.45
	¥5.4353	¥543.53
整卷卷轴（请按250的倍数订购）
	¥5.4353	¥1,358.83
	¥4.6782	¥2,339.10
	¥4.2149	¥4,214.90
	¥4.2036	¥10,509.00

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

备用包装

制造商零件编号:

CSD22204W

包装:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供货情况:

库存量

单价:

¥7.3563

最小:

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制造商：

Texas Instruments

制造商编号：

CSD22204W

说明：

MOSFET -8V P channel NexFE T power MOSFET sing A 595-CSD22204WT

与当前部分进行比较

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Texas Instruments
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DSBGA-9
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	8 V
Id-连续漏极电流:	5 A
Rds On-漏源导通电阻:	14 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 6 V, 6 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	450 mV
Qg-栅极电荷:	24.6 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	1.7 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	NexFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Texas Instruments
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	PH
下降时间:	2.29 us
正向跨导 - 最小值:	18 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	600 ns
系列:	CSD22204W
工厂包装数量:	250
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 P-Channel
典型关闭延迟时间:	3.45 us
典型接通延迟时间:	58 ns
单位重量:	2.500 mg

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已选择的属性: 0

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854239099
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

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