CSD23203W

Texas Instruments
595-CSD23203W
CSD23203W

制造商：

说明：
MOSFET CSD23203W 8 V P-chan MOSFET 6-DSBGA A 59 A 595-CSD23203WT

数据表:
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库存量: 6,424

库存：
6,424 可立即发货
生产周期：
6 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥5.876 ¥5.88
¥3.5934 ¥35.93
¥2.3617 ¥236.17
¥1.8645 ¥932.25
¥1.5933 ¥1,593.30
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥1.2769 ¥3,830.70
¥1.1978 ¥10,780.20
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

备用包装

制造商零件编号:
CSD23203WT
包装:
Reel, Cut Tape, MouseReel
供货情况:
库存量
单价:
¥13.8086
最小:
1

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产品属性 属性值 选择属性
Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DSBGA-6
P-Channel
1 Channel
8 V
3 A
53 mOhms
- 6 V, 6 V
1.1 V
6.3 nC
- 55 C
+ 150 C
750 mW
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Texas Instruments
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: PH
下降时间: 27 ns
正向跨导 - 最小值: 14 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 12 ns
系列: CSD23203W
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 58 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
单位重量: 1.400 mg
找到的产品:
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已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854239099
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET可以为相同的阻抗提供二分之一的栅极电荷，以便设计人员能够实现90%的供电效率并使频率加倍。TI NexFET功率MOSFET实现了垂直电流与横向功率MOSFET的结合。该系列器件具有较低的导通电阻，只需极低的栅极电荷，且需要采用行业标准封装外形，这种组合是现有硅平台所无法实现的。TI NexFET功率MOSFET技术可以提高大功率计算、网络、服务器系统和电源中的能源利用率。

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