CSD23382F4

Texas Instruments
595-CSD23382F4
CSD23382F4

制造商：

说明：
MOSFET P-Channel MOSFET A 5 95-CSD23382F4T A 59 A 595-CSD23382F4T

数据表:
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库存量: 3,745

库存：
3,745 可立即发货
生产周期：
12 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1   最多： 2150
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥3.5595 ¥3.56
¥2.1809 ¥21.81
¥1.3786 ¥137.86
¥1.03395 ¥516.98
¥0.91869 ¥918.69
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥0.91869 ¥2,756.07
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

备用包装

制造商零件编号:
CSD23382F4T
包装:
Reel, Cut Tape, MouseReel
供货情况:
库存量
单价:
¥11.8311
最小:
1

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产品属性 属性值 选择属性
Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PICOSTAR-3
P-Channel
1 Channel
12 V
3.5 A
76 mOhms
- 8 V, 8 V
500 mV
1.04 nC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Texas Instruments
配置: Single
组装国: PH
扩散国家: CN
原产国: PH
开发套件: CSD1FPCHEVM-890
下降时间: 41 ns
正向跨导 - 最小值: 3.4 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 25 ns
系列: CSD23382F4
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 66 ns
典型接通延迟时间: 28 ns
单位重量: 0.400 mg
找到的产品:
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已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET可以为相同的阻抗提供二分之一的栅极电荷，以便设计人员能够实现90%的供电效率并使频率加倍。TI NexFET功率MOSFET实现了垂直电流与横向功率MOSFET的结合。该系列器件具有较低的导通电阻，只需极低的栅极电荷，且需要采用行业标准封装外形，这种组合是现有硅平台所无法实现的。TI NexFET功率MOSFET技术可以提高大功率计算、网络、服务器系统和电源中的能源利用率。

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