CSD25480F3

Texas Instruments
595-CSD25480F3
CSD25480F3

制造商：

说明：
MOSFET -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25480F3T

数据表:
ECAD模型:
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库存量: 6,781

库存：
6,781
可立即发货
在途量:
6,000
生产周期：
12
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥2.8137 ¥2.81
¥1.7176 ¥17.18
¥1.07576 ¥107.58
¥0.79439 ¥397.20
¥0.678 ¥678.00
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥0.5876 ¥1,762.80
¥0.51302 ¥3,078.12
¥0.44635 ¥4,017.15
¥0.42149 ¥10,115.76
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PICOSTAR-3
P-Channel
1 Channel
20 V
1.7 A
840 mOhms
- 12 V, 12 V
1.2 V
700 pC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
PicoStar
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Texas Instruments
配置: Single
组装国: PH
扩散国家: CH
原产国: PH
下降时间: 7 ns
正向跨导 - 最小值: 8 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 5 ns
系列: CSD25480F3
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 13 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
单位重量: 0.300 mg
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

SPICE Models

Technical Resources

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

FemtoFET 功率 MOSFET

德州仪器 FemtoFET 功率 MOSFET 具有超小占位面积（0402 外壳尺寸），并有超低电阻（与竞争产品相比低 70%）。这些 MOSFET 具有超低的 Qg, Qgd 规格，并有最优的 ESD 额定值。它们采用基板栅格阵列(LGA)封装。这种封装提高了硅含量，使其特别适合空间受限的应用。这些功率 MOSFET 具有低功耗和低开关损耗，提高了轻负载下的性能。这些器件的典型应用有手持设备、移动设备、负载开关、通用开关、电池应用等。
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