CSD25501F3T

Name: Texas Instruments CSD25501F3T
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD25501F3T
Price: 10.25 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

595-CSD25501F3T

制造商编号：

CSD25501F3T

制造商：

Texas Instruments

说明：

MOSFET #NAME?

数据表:

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单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按250的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥11.5825	¥11.58
	¥7.2998	¥73.00
	¥4.2036	¥420.36
整卷卷轴（请按250的倍数订购）
	¥4.2036	¥1,050.90

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

备用包装

制造商零件编号:

CSD25501F3

包装:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供货情况:

库存量

单价:

¥3.1414

最小:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Texas Instruments
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PICOSTAR-3
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	20 V
Id-连续漏极电流:	3.6 A
Rds On-漏源导通电阻:	260 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.05 V
Qg-栅极电荷:	1.02 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	500 mW
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Texas Instruments
配置:	Single
组装国:	PH
扩散国家:	CN
原产国:	PH
下降时间:	945 ns
正向跨导 - 最小值:	3.4 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	428 ns
系列:	CSD25501F3
工厂包装数量:	250
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 P-Channel
典型关闭延迟时间:	1154 ns
典型接通延迟时间:	474 ns
单位重量:	0.300 mg

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已选择的属性: 0

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数据表

CSD25501F3T 数据表

SPICE Models

CSD25501F3 PSPICE Model

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CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541210101
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

CSD25501F3 -20V 64mΩ P通道FemtoFET™ MOSFET

Texas Instruments CSD25501F3 –20V 64mΩ P沟道FemtoFET™ MOSFET经过设计和优化，用于缩小众多手持和移动应用的尺寸。该技术可取代标准小信号MOSFET，同时大幅缩小尺寸。通过集成的10kΩ夹体电阻器 (RC)，栅极电压 (VGS) 可以超过内部栅极氧化物的最大值-6V，具体取决于占空比。随VGS通过二极管栅极泄漏 (IGSS) 增加超过 -6V。