CSD83325L

Texas Instruments
595-CSD83325L
CSD83325L

制造商：

说明：
MOSFET 12-V N channel NexF ET power MOSFET dua A 595-CSD83325LT

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库存量: 4,815

库存：
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生产周期：
12 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥3.8081 ¥3.81
¥2.3956 ¥23.96
¥1.9323 ¥193.23
¥1.8419 ¥920.95
¥1.7741 ¥1,774.10
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥1.7628 ¥5,288.40
¥1.6498 ¥9,898.80
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

备用包装

制造商零件编号:
CSD83325LT
包装:
Reel, Cut Tape, MouseReel
供货情况:
库存量
单价:
¥9.0965
最小:
1

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产品属性 属性值 选择属性
Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PICOSTAR-6
N-Channel
2 Channel
12 V
8 A
11.9 mOhms
- 10 V, 10 V
750 mV
10.9 nC
- 55 C
+ 150 C
2.3 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Texas Instruments
配置: Dual
组装国: PH
扩散国家: CN
原产国: PH
下降时间: 589 ns
正向跨导 - 最小值: 36 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 353 ns
系列: CSD83325L
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 2 N-Channel
典型关闭延迟时间: 711 ns
典型接通延迟时间: 205 ns
单位重量: 1.500 mg
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已选择的属性: 0

数据表

EOL

PCN

SPICE Models

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854239099
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET可以为相同的阻抗提供二分之一的栅极电荷，以便设计人员能够实现90%的供电效率并使频率加倍。TI NexFET功率MOSFET实现了垂直电流与横向功率MOSFET的结合。该系列器件具有较低的导通电阻，只需极低的栅极电荷，且需要采用行业标准封装外形，这种组合是现有硅平台所无法实现的。TI NexFET功率MOSFET技术可以提高大功率计算、网络、服务器系统和电源中的能源利用率。

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