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CSD85302L

Name: Texas Instruments CSD85302L
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD85302L
Price: 6.3 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

595-CSD85302L

制造商编号：

CSD85302L

制造商：

Texas Instruments

说明：

MOSFET 20V Dual N ch MOSFET A 595-CSD85302LT A A 595-CSD85302LT

数据表:

CSD85302L 数据表

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¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥7.119	¥7.12
	¥4.3957	¥43.96
	¥2.8702	¥287.02
	¥2.2035	¥1,101.75
	¥1.9662	¥1,966.20
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥1.6837	¥5,051.10
	¥1.4125	¥8,475.00
	¥1.4012	¥12,610.80

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Texas Instruments
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PICOSTAR-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	20 V
Id-连续漏极电流:	7 A
Rds On-漏源导通电阻:	24 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	680 mV
Qg-栅极电荷:	6 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	1.7 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	NexFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Texas Instruments
配置:	Dual
组装国:	CN
扩散国家:	CN
原产国:	CN
下降时间:	99 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	54 ns
系列:	CSD85302L
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	2 N-Channel
典型关闭延迟时间:	173 ns
典型接通延迟时间:	37 ns
单位重量:	1.200 mg

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

NexFET N通道功率MOSFET

Texas Instruments NexFET N通道功率MOSFET设计用于在功率转换应用中最大限度地降低损耗。这些N通道器件具有超低Qg和Qd以及低热阻。这些器件可以耐受雪崩，采用SON 5mm x 6mm塑料封装。

TI N-Channel 8-23-12

NexFET™功率MOSFET

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