CSD85312Q3E

Texas Instruments
595-CSD85312Q3E
CSD85312Q3E

制造商：

说明：
MOSFET Dual 20V N-CH Pwr MO SFETs

数据表:
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库存量: 3,419

库存：
3,419
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5,000
生产周期：
12
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥13.3227 ¥13.32
¥8.4411 ¥84.41
¥5.6161 ¥561.61
¥4.4183 ¥2,209.15
¥4.0341 ¥4,034.10
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
¥3.6612 ¥9,153.00
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
VSON-8
N-Channel
2 Channel
20 V
12 A
14 mOhms
- 10 V, 10 V
1.1 V
11.7 nC
- 55 C
+ 150 C
2.5 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Texas Instruments
配置: Dual
组装国: PH
扩散国家: CN
原产国: PH
下降时间: 6 ns
正向跨导 - 最小值: 99 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 27 ns
系列: CSD85312Q3E
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
晶体管类型: 2 N-Channel
典型关闭延迟时间: 24 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
单位重量: 32 mg
找到的产品:
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已选择的属性: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854239099
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET可以为相同的阻抗提供二分之一的栅极电荷，以便设计人员能够实现90%的供电效率并使频率加倍。TI NexFET功率MOSFET实现了垂直电流与横向功率MOSFET的结合。该系列器件具有较低的导通电阻，只需极低的栅极电荷，且需要采用行业标准封装外形，这种组合是现有硅平台所无法实现的。TI NexFET功率MOSFET技术可以提高大功率计算、网络、服务器系统和电源中的能源利用率。

TI N-Channel 8-23-12


NexFET N通道功率MOSFET

Texas Instruments NexFET N通道功率MOSFET设计用于在功率转换应用中最大限度地降低损耗。这些N通道器件具有超低Qg和Qd以及低热阻。这些器件可以耐受雪崩，采用SON 5mm x 6mm塑料封装。

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