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CSD97396Q4MT

Name: Texas Instruments CSD97396Q4MT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD97396Q4MT
Price: 20.42 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

595-CSD97396Q4MT

制造商编号：

CSD97396Q4MT

制造商：

Texas Instruments

说明：

栅极驱动器 30A Sync Buck NexFET Power Stage A 595-C A 595-CSD97396Q4M

数据表:

CSD97396Q4MT 数据表

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单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按250的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥23.0746	¥23.07
	¥17.289	¥172.89
	¥15.7974	¥394.94
	¥14.2267	¥1,422.67
整卷卷轴（请按250的倍数订购）
	¥13.3227	¥3,330.68
	¥12.5769	¥6,288.45
	¥11.7407	¥11,740.70

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

备用包装

制造商零件编号:

CSD97396Q4M

包装:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供货情况:

库存量

单价:

¥19.6055

最小:

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制造商：

Texas Instruments

制造商编号：

CSD97396Q4M

说明：

栅极驱动器 30A Synchronous Buck NexFET Power Stage A 595-CSD97396Q4MT

与当前部分进行比较

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Texas Instruments
产品种类:	栅极驱动器
RoHS:
REACH - SVHC:
产品:	Driver ICs - Various
类型:	High-Side, Low-Side
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SON-9
激励器数量:	1 Driver
输出端数量:	1 Output
输出电流:	30 A
电源电压-最小:	4.5 V
电源电压-最大:	5.5 V
上升时间:	60 ns
下降时间:	60 ns
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 150 C
系列:	CSD97396Q4M
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Texas Instruments
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	PH
特点:	Synchronous
湿度敏感性:	Yes
工作电源电流:	7.8 mA
Pd-功率耗散:	8 W
产品类型:	Gate Drivers
关闭:	No Shutdown
工厂包装数量:	250
子类别:	PMIC - Power Management ICs
技术:	Si
商标名:	NexFET
单位重量:	57.400 mg

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已选择的属性: 0

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数据表

CSD97396Q4MT 数据表

PCN

SPICE Models

CSD97396Q4M PSpice Transient Model

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CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 854239099
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

NexFET功率级IC

Texas Instruments NexFET功率级IC是经过优化的驱动器IC，采用了双NexFET MOSFET。这样即可在典型的大电流POL设计中实现更高效率。这些器件具有超低Qg和Qgd，与同类产品相比，可实现更高的开关频率，虽然频率高达两倍，但功率损耗却相同。这样可以改善瞬态响应，减少所需的输出电容器数量。输出滤波器（电容器和电感器）的尺寸最多可减小1/2。这些器件配有独特的接地焊盘引线框架和引脚分配，便于客户布局，并提高了运行和散热性能。与典型的分立式解决方案相比，这些器件采用更小的封装，从而节省了电路板空间。

NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET可以为相同的阻抗提供二分之一的栅极电荷，以便设计人员能够实现90%的供电效率并使频率加倍。TI NexFET功率MOSFET实现了垂直电流与横向功率MOSFET的结合。该系列器件具有较低的导通电阻，只需极低的栅极电荷，且需要采用行业标准封装外形，这种组合是现有硅平台所无法实现的。TI NexFET功率MOSFET技术可以提高大功率计算、网络、服务器系统和电源中的能源利用率。