LM5101BMA/NOPB

Texas Instruments
926-LM5101BMA/NOPB
LM5101BMA/NOPB

制造商:

说明:
栅极驱动器 100V 2A Half-Bridge Driver

ECAD模型:
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库存量: 4,159

库存:
4,159 可立即发货
生产周期:
12 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥36.4764 ¥36.48
¥27.7076 ¥277.08
¥23.165 ¥579.13
¥22.1706 ¥2,106.21
¥21.7525 ¥6,199.46
¥20.679 ¥21,609.56
¥20.0123 ¥51,331.55

备用包装

制造商零件编号:
包装:
Reel, Cut Tape, MouseReel
供货情况:
库存量
单价:
¥29.7981
最小:
1

产品属性 属性值 选择属性
Texas Instruments
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
MOSFET Gate Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
SOIC-8
2 Driver
2 Output
2 A
9 V
14 V
570 ns
430 ns
- 40 C
+ 125 C
LM5101B
Tube
商标: Texas Instruments
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: MY
特点: Independent
逻辑类型: TTL
最大关闭延迟时间: 4 ns
最大开启延迟时间: 4 ns
工作电源电流: 2 mA
产品类型: Gate Drivers
传播延迟—最大值: 26 ns
工厂包装数量: 95
子类别: PMIC - Power Management ICs
技术: Si
单位重量: 143 mg
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已选择的属性: 0

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CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
854239099
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

LM5101BMA 100V MOSFET驱动器

Texas Instruments LM5101BMA 100V MOSFET驱动器用于驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧N通道MOSFET。该浮动高侧驱动器能够在高达100V的电源电压下工作。A版本提供完全的3A栅极驱动,而B和C版本则分别提供2A和1A驱动。输出由CMOS输入阈值 (LM5100A/B/C) 或TTL输入阈值 (LM5101A/B/C) 独立控制。该器件集成了一个高压二极管,用于为高侧栅极驱动自举电容器充电。该器件设有稳健的电平移位器,可高速工作,功耗极低,可提供从控制逻辑到高侧栅极驱动器的的干净电平转换。