LM74801MDRRR

Texas Instruments
595-LM74801MDRRR
LM74801MDRRR

制造商:

说明:
专业电源管理 (PMIC) 3-V to 65-V back-to- back NFET ideal dio

ECAD模型:
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库存量: 2,743

库存:
2,743 可立即发货
生产周期:
6 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™
¥40.5331 ¥40.53
¥30.849 ¥308.49
¥28.4534 ¥711.34
¥25.8092 ¥2,580.92
¥24.5662 ¥6,141.55
¥22.9955 ¥11,497.75
¥19.436 ¥19,436.00
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)
¥18.532 ¥55,596.00
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。

产品属性 属性值 选择属性
Texas Instruments
产品种类: 专业电源管理 (PMIC)
RoHS:  
LM7480
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Texas Instruments
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
湿度敏感性: Yes
产品类型: Power Management Specialized - PMIC
工厂包装数量: 3000
子类别: PMIC - Power Management ICs
找到的产品:
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已选择的属性: 0

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CAHTS:
8542310000
USHTS:
8542310030
TARIC:
8542399000
ECCN:
EAR99

LM7480x-Q1理想二极管控制器

Texas Instruments LM7480x-Q1理想二极管控制器驱动和控制外部背对背N沟道MOSFET,以模拟理想二极管整流器进行电源路径开/关控制和过压保护。3 V至65 V宽输入电源支持保护和控制12 V和24 V汽车电池供电ECU。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65V的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 驱动第一个替代肖特基二极管的MOSFET进行反向输入保护和输出电压保持。该器件在电源路径中设有第二个MOSFET,可通过HGATE控制实现负载断开(开/关控制)和过压保护。该器件具有可调节过压切断保护功能。Texas Instruments LM7480x-Q1控制器可驱动采用共漏极和共源配置的外部MOSFET。通过功率MOSFET的常见漏极配置,可以使用另一个理想二极管将中点用于OR-ing设计。LM7480x-Q1的最大额定电压为65V。在共源拓扑中给器件配置外部MOSFET,就可以保护负载免受扩展的过压瞬变(例如24V电池系统中200V未经抑制的抛负载)的影响。