LMG1210RVRR

Texas Instruments
595-LMG1210RVRR
LMG1210RVRR

制造商：

说明：
栅极驱动器 1.5-A 3-A 200-V ha l f bridge gate drive A 595-LMG1210RVRT

数据表:
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库存量: 462

库存：
462 可立即发货
生产周期：
18 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1   最多： 170
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥35.3464 ¥35.35
¥26.7584 ¥267.58
¥24.5888 ¥614.72
¥22.2384 ¥2,223.84
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥22.2384 ¥66,715.20
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

备用包装

制造商零件编号:
LMG1210RVRT
包装:
Reel, Cut Tape, MouseReel
供货情况:
库存量
单价:
¥52.3642
最小:
1

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产品属性 属性值 选择属性
Texas Instruments
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
MOSFET Gate Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
WQFN-19
2 Driver
2 Output
3 A
4.75 V
18 V
500 ps
500 ps
- 40 C
+ 125 C
LMG1210
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Texas Instruments
组装国: TH
扩散国家: US
原产国: TH
逻辑类型: TTL
最大关闭延迟时间: 18 ns
最大开启延迟时间: 18 ns
湿度敏感性: Yes
空闲时间—最大值: 18 ns
工作电源电流: 380 uA
输出电压: 5 V
产品类型: Gate Drivers
传播延迟—最大值: 20 ns
Rds On-漏源导通电阻: 400 mOhms
工厂包装数量: 3000
子类别: PMIC - Power Management ICs
技术: GaN
商标名: GaN
单位重量: 26.800 mg
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已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

LMG1210 200V半桥MOSFET和GaN FET驱动器

Texas Instruments LMG1210 200V半桥MOSFET和氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 驱动器设计用于高频、高效率应用。该器件是具有可调节死区时间功能、极短的传播延迟以及3.4ns高侧/低侧匹配（以优化系统效率）的应用的理想选择。LMG1210 MOSFET和GaN FET驱动器设有内部LDO，可确保5V的栅极驱动电压，且不受电源电压影响。

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