LMG2100R044RARR

Texas Instruments
595-LMG2100R044RARR
LMG2100R044RARR

制造商:

说明:
栅极驱动器 100-V 4.4-m? half-br idge GaN FET with i

ECAD模型:
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库存量: 39

库存:
39
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在途量:
5,000
生产周期:
12
大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1   最多: 170
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴(请按2500的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™
¥79.0322 ¥79.03
¥54.1044 ¥541.04
¥50.8048 ¥5,080.48
整卷卷轴(请按2500的倍数订购)
¥50.8048 ¥127,012.00
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。

产品属性 属性值 选择属性
Texas Instruments
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
SMD/SMT
VQFN-FCRLF-16
- 40 C
+ 125 C
LMG2100R044
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Texas Instruments
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: US
湿度敏感性: Yes
产品类型: Gate Drivers
工厂包装数量: 2500
子类别: PMIC - Power Management ICs
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已选择的属性: 0

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CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

LMG2100R044 GaN半桥功率级

Texas Instruments LMG2100R044 GaN半桥功率级是一款90V连续、100V脉冲、35A半桥功率级,集成了栅极驱动器和增强模式氮化镓 (GaN) FET。LMG2100R044在半桥配置中集成了两个100V GaN FET,由一个高频90V GaN FET驱动器驱动。GaN FET为功率转换提供了显著优势,例如零反向恢复和最小输入电容CISS和输出电容COSS。