LMG2656RFBR

Name: Texas Instruments LMG2656RFBR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG2656RFBR
Price: 83.74 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

595-LMG2656RFBR

制造商编号：

LMG2656RFBR

制造商：

Texas Instruments

说明：

栅极驱动器 650V 230mohm GaN ha lf-bridge with integ

寿命周期:

新产品:

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数据表:

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¥-.--

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封装:

整卷卷轴（请按2000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥94.6262	¥94.63
	¥65.6756	¥656.76
	¥55.5847	¥5,558.47
	¥52.4433	¥52,443.30
整卷卷轴（请按2000的倍数订购）
	¥45.3243	¥90,648.60

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Texas Instruments
产品种类:	栅极驱动器
RoHS:
产品:	Half-Bridge
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	VQFN-19
电源电压-最小:	10 V
电源电压-最大:	26 V
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 125 C
系列:	LMG2656
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Texas Instruments
组装国:	PH
扩散国家:	JP
原产国:	PH
开发套件:	LMG2656EVM-102
输入电压 - 最大值:	26 V
最大开启延迟时间:	150 ns
湿度敏感性:	Yes
产品类型:	Gate Drivers
Rds On-漏源导通电阻:	230 mOhms
关闭:	No Shutdown
工厂包装数量:	2000
子类别:	PMIC - Power Management ICs
技术:	GaN

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ECCN:: EAR99

LMG2656 650V GaN功率FET半桥

Texas Instruments LMG2656 650V GaN功率FET半桥将半桥功率FET、栅极驱动器、自举FET和高侧栅极驱动器电平移位器集成在6mm x 8mm QFN封装中，简化了设计、减少了元器件数量，并减少了电路板空间。可编程导通斜率提供了EMI和振铃控制。与传统的电流感应电阻相比，低侧电流感应仿真减少了耗散功率，并允许将低侧导热片连接到PCB电源的接地。