LMG3522R050RQST

Texas Instruments
595-LMG3522R050RQST
LMG3522R050RQST

制造商：

说明：
Gate Drivers 650-V 50-m? GaN FET with integrated driv

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Texas Instruments
产品种类: 栅极驱动器
交货限制:
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RoHS:  
REACH - SVHC:
GaN FET
SMD/SMT
VQFN-52
- 40 C
+ 125 C
LMG3522R050
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Texas Instruments
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: PH
输入电压 - 最大值: 18 V
输入电压 - 最小值: 7.5 V
湿度敏感性: Yes
工作电源电流: 9.7 mA
产品类型: Gate Drivers
工厂包装数量: 250
子类别: PMIC - Power Management ICs
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已选择的属性: 0

数据表

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CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

LMG3522R050 650V GaN FET

Texas Instrument LMG3522R050 650V GaN FET具有集成式驱动器和保护功能，适用于开关模式电源转换器，可让设计人员实现更高水平的功率密度和效率。LMG3522R050集成了一个硅驱动器，可实现高达150V/ns的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比，TI的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关SOA。这种集成特性与TI的低电感封装技术相结合，可在硬开关电源拓扑中提供超小的振铃和干净的开关。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在15V/ns至150V/ns之间，这可用于主动控制EMI并优化开关性能。

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