LMG3526R050RQSR

Texas Instruments
595-LMG3526R050RQSR
LMG3526R050RQSR

制造商：

说明：
栅极驱动器 650-V 50-m? GaN FET with integrated driv

数据表:
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库存量: 1,940

库存：
1,940 可立即发货
生产周期：
12 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按2000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥155.3411 ¥155.34
¥110.8417 ¥1,108.42
¥105.6324 ¥10,563.24
¥103.8922 ¥25,973.05
¥100.2536 ¥50,126.80
¥96.3664 ¥96,366.40
整卷卷轴（请按2000的倍数订购）
¥81.8911 ¥163,782.20
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
Texas Instruments
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
GaN FET
SMD/SMT
VQFN-52
- 40 C
+ 125 C
LMG3526R050
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Texas Instruments
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: PH
输入电压 - 最大值: 18 V
输入电压 - 最小值: 7.5 V
湿度敏感性: Yes
产品类型: Gate Drivers
工厂包装数量: 2000
子类别: PMIC - Power Management ICs
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

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CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

LMG3526R050 650 V GaN FET

Texas Instrument LMG3526R050 650V GaN FET具有集成式驱动器和保护功能，适用于开关模式电源转换器，可让设计人员实现更高水平的功率密度和效率。LMG3526R050集成了一个硅驱动器，可实现高达150V/ns的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比，TI的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关SOA。这种集成特性与TI的低电感封装技术相结合，可在硬开关电源拓扑中提供超小的振铃和干净的开关。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在15V/ns至150V/ns之间。这可用于主动控制EMI并优化开关性能。

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