LMG3526R050RQST

Texas Instruments
595-LMG3526R050RQST
LMG3526R050RQST

制造商:

说明:
栅极驱动器 650-V 50-mΩ GaN FE T With Integrated D

ECAD模型:
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库存量: 250

库存:
250 可立即发货
生产周期:
12 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴(请按250的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™
¥207.7844 ¥207.78
¥162.5392 ¥1,625.39
¥155.262 ¥3,881.55
¥138.7979 ¥13,879.79
整卷卷轴(请按250的倍数订购)
¥112.9887 ¥28,247.18
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。

产品属性 属性值 选择属性
Texas Instruments
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
REACH - SVHC:
GaN FET
SMD/SMT
VQFN-52
- 40 C
+ 125 C
LMG3526R050
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Texas Instruments
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: PH
输入电压 - 最大值: 18 V
输入电压 - 最小值: 7.5 V
湿度敏感性: Yes
产品类型: Gate Drivers
工厂包装数量: 250
子类别: PMIC - Power Management ICs
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已选择的属性: 0

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USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

LMG3526R050 650 V GaN FET

Texas Instrument LMG3526R050 650V GaN FET具有集成式驱动器和保护功能,适用于开关模式电源转换器,可让设计人员实现更高水平的功率密度和效率。LMG3526R050集成了一个硅驱动器,可实现高达150V/ns的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比,TI的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关SOA。这种集成特性与TI的低电感封装技术相结合,可在硬开关电源拓扑中提供超小的振铃和干净的开关。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在15V/ns至150V/ns之间。这可用于主动控制EMI并优化开关性能。