LMG5200MOFR

Texas Instruments
595-LMG5200MOFR
LMG5200MOFR

制造商：

说明：
栅极驱动器 80V GaN Half Bridge Power Stage 9-QFM -4 A 595-LMG5200MOFT

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解Texas Instruments LMG5200MOFR详情

库存量: 995

库存：
995 可立即发货
生产周期：
12 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按2000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥104.7171 ¥104.72
¥82.3883 ¥823.88
¥76.84 ¥1,921.00
¥70.6363 ¥7,063.63
¥67.7435 ¥16,935.88
¥66.0033 ¥33,001.65
¥65.8451 ¥65,845.10
整卷卷轴（请按2000的倍数订购）
¥63.28 ¥126,560.00
4,000 报价
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
Texas Instruments
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
QFM-9
1 Driver
1 Output
10 A
4.75 V
5.25 V
- 40 C
+ 125 C
LMG5200
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Texas Instruments
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: TW, CN
湿度敏感性: Yes
工作电源电流: 3 mA
产品类型: Gate Drivers
Rds On-漏源导通电阻: 15 Ohms
工厂包装数量: 2000
子类别: PMIC - Power Management ICs
技术: Si
商标名: GaN
单位重量: 2.338 g
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

氮化镓 (GaN)

Texas Instruments氮化镓 (GaN) 解决方案具有高效率、高功率密度和高可靠性等特点。Texas Instruments GaN产品组合包含控制器、驱动器、稳压器的功耗低，提供端对端功率转换，开关频率为5MHz。

LMG5200 80V GaN半桥功率级

Texas Instruments LMG5200 80V GaN半桥功率级借助增强模式氮化镓 (GaN) FET提供了一套集成功率级解决方案。该器件包含两个80V GaN FET，它们由采用半桥配置的同一高频GaN FET驱动器提供驱动。GaN FET在功率转换方面的优势显著，因为其反向恢复电荷几乎为零，输入电容CISS也非常小。所有器件均安装在一个完全无键合线的封装平台上，尽可能减少了封装寄生元件数。该器件的输入与TTL逻辑兼容，并且无论VCC电压如何，最高都能够承受12V的输入电压。专有的自举电压钳位技术确保了增强模式GaN FET的栅极电压处于安全的工作范围内。

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。