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TPS28226DR

Name: Texas Instruments TPS28226DR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-TPS28226DR
Price: 12.15 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

595-TPS28226DR

制造商编号：

TPS28226DR

制造商：

Texas Instruments

说明：

栅极驱动器 Hi Fre 4A Sink Synch MOSFET Driver A 595 A 595-TPS28226D

数据表:

TPS28226DR 数据表

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库存量: 2,236

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生产周期：: 6 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥13.7295	¥13.73
	¥12.4074	¥124.07
	¥11.7407	¥293.52
	¥9.9214	¥992.14
	¥9.266	¥2,316.50
	¥8.1021	¥4,051.05
	¥7.0512	¥7,051.20
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥6.3958	¥15,989.50
	¥6.2489	¥31,244.50

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

备用包装

制造商零件编号:

TPS28226D

包装:

Tube

供货情况:

库存量

单价:

¥13.4018

最小:

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制造商：

Texas Instruments

制造商编号：

TPS28226D

说明：

栅极驱动器 Hi Fre 4A Sink Synch MOSFET Driver

寿命周期:

寿命结束: 将过时且制造商将停产。

与当前部分进行比较

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Texas Instruments
产品种类:	栅极驱动器
RoHS:
产品:	MOSFET Gate Drivers
类型:	Half-Bridge
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SOIC-8
激励器数量:	2 Driver
输出端数量:	2 Output
输出电流:	4 A
电源电压-最小:	6.8 V
电源电压-最大:	8 V
上升时间:	10 ns
下降时间:	5 ns
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 125 C
系列:	TPS28226
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Texas Instruments
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	MX
特点:	Synchronous Rectification
最大关闭延迟时间:	14 ns
Pd-功率耗散:	1.25 W
产品类型:	Gate Drivers
工厂包装数量:	2500
子类别:	PMIC - Power Management ICs
技术:	Si
单位重量:	72.600 mg

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CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
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MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

TPS28226 8-Pin Sink Synchronous MOSFET Drivers

Texas Instruments TPS28226 8-Pin High-Frequency 4A Sink Synchronous MOSFET Drivers is optimized for a variety of high-current one and multi-phase DC-to-DC converters. The Texas Instruments TPS28226 MOSFET Drivers have a small-size and low EMI emissions, providing a high-efficiency solution. Efficiency is achieved by up to 8.8V gate drive voltage, 14ns adaptive dead-time control, 14ns propagation delays, and high-current 2A source with 4A sink drive capability. The 0.4Ω impedance for the lower gate driver holds the gate of power MOSFET below its threshold. This feature ensures no shoot-through current at high dV/dt phase node transitions. Charged by an internal diode, the bootstrap capacitor allows the use of N-channel MOSFETs in a half-bridge configuration.