UCC27210DPRT

Name: Texas Instruments UCC27210DPRT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-UCC27210DPRT
Price: 27.82 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

595-UCC27210DPRT

制造商编号：

UCC27210DPRT

制造商：

Texas Instruments

说明：

栅极驱动器 120V Boot 4A Peak Hi Freq Hi/Lo-Side Drv A 595-UCC27210DPRR

数据表:

UCC27210DPRT 数据表

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解Texas Instruments UCC27210DPRT详情

库存量: 165

库存：: 165 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 12 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按250的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥31.4366	¥31.44
	¥23.7413	¥237.41
	¥21.8316	¥545.79
	¥19.6846	¥1,968.46
整卷卷轴（请按250的倍数订购）
	¥18.6111	¥4,652.78
	¥17.6958	¥8,847.90
	¥17.2099	¥17,209.90
	¥16.9613	¥42,403.25
	¥16.8709	¥84,354.50

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Texas Instruments
产品种类:	栅极驱动器
RoHS:
产品:	MOSFET Gate Drivers
类型:	High-Side, Low-Side
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	WSON-10
激励器数量:	2 Driver
输出端数量:	2 Output
输出电流:	4 A
电源电压-最小:	8 V
电源电压-最大:	17 V
上升时间:	7.2 ns
下降时间:	5.5 ns
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 140 C
系列:	UCC27210
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Texas Instruments
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	PH
湿度敏感性:	Yes
产品类型:	Gate Drivers
工厂包装数量:	250
子类别:	PMIC - Power Management ICs
技术:	Si
单位重量:	38.200 mg

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

UCC27210DPRT 数据表

EOL

Images

PCN

Product Catalogs

Power Management Guide 2018 (Rev. R)

SPICE Models

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 854239099
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

UCC2721x High Frequency Drivers

Texas Instruments UCC2721x High-Frequency High-Side and Low-Side Drivers are based on the popular UCC27200 and UCC27201 MOSFET drivers but offer several significant performance improvements. Peak output pull-up and pull-down current has been increased to 4A source and 4A sink, and pull-up and pull-down resistance have been reduced to 0.9Ω. These performance enhancements allow for driving large power MOSFETs with minimized switching losses during the transition through the MOSFET's Miller Plateau.