UCC5870QDWJQ1

595-UCC5870QDWJQ1
UCC5870QDWJQ1

制造商：

说明：
电流隔离式栅极驱动器 Automotive 3.75kVrm s 30A single-channel A 595-UCC5870QDWJRQ1

寿命周期:
寿命结束:
将过时且制造商将停产。
数据表:
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库存量: 1,797

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¥-.--
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¥-.--
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数量 单价
总价
¥175.602 ¥175.60
¥141.8602 ¥1,418.60
¥135.9842 ¥3,399.61
¥119.7687 ¥13,294.33
¥113.904 ¥29,501.14
¥106.5364 ¥55,185.86
1,036 报价

备用包装

制造商零件编号:
UCC5870QDWJRQ1
包装:
Reel, Cut Tape, MouseReel
供货情况:
库存量
单价:
¥133.4982
最小:
1

产品属性 属性值 选择属性
Texas Instruments
产品种类: 电流隔离式栅极驱动器
RoHS:  
UCC5870
SMD/SMT
SSOP-36
- 40 C
+ 125 C
500 mW
150 ns
150 ns
150 ns
Tube
商标: Texas Instruments
配置: Inverting
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: TW, CN
湿度敏感性: Yes
激励器数量: 1 Driver
输出端数量: 1 Output
输出电流: 30 A
输出电压: 15 V to 30 V
产品: IGBT, MOSFET Gate Drivers
产品类型: Galvanically Isolated Gate Drivers
关闭: Shutdown
工厂包装数量: 37
子类别: PMIC - Power Management ICs
电源电压-最大: 5.5 V
电源电压-最小: 3 V
技术: SiC
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已选择的属性: 0

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CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

UCC5870-Q1 IGBT/SiC MOSFET栅极驱动器

Texas Instruments UCC5870-Q1 IGBT/SiC MOSFET栅极驱动器是一款功能安全兼容、隔离、高度可配置的单通道栅极驱动器，设计用于驱动EV/HEV应用中的大功率SiC MOSFET和IGBT。功率晶体管保护，例如基于分流电阻器的过流、基于NTC的过热和DESAT检测，包括这些故障时的可选软关断或两级关断。为了进一步减小应用尺寸，Texas Instruments UCC5870-Q1在开关时集成了4A有源米勒钳位，在驱动器断电时集成了有源栅极下拉功能。集成的10位ADC支持监控多达六个模拟输入和栅极驱动器温度，从而增强系统管理。集成诊断和检测功能，简化ASIL-D兼容系统的设计。这些特性的参数和阈值可通过SPI接口进行配置，因此该器件几乎可以与任何SiC MOSFET或IGBT搭配使用。

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