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C3M0021120K

Name: Wolfspeed C3M0021120K
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-C3M0021120K
Price: 127.08 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

941-C3M0021120K

制造商编号：

C3M0021120K

制造商：

Wolfspeed

说明：

碳化硅MOSFET 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET

数据表:

C3M0021120K 数据表

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	¥96.3664	¥11,563.97

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Wolfspeed
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	100 A
Rds On-漏源导通电阻:	28.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 8 V, + 19 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	162 nC
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	469 W
通道模式:	Enhancement
商标:	Wolfspeed
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	CN
下降时间:	14 ns
封装:	Tube
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	33 ns
系列:	C3M
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
技术:	SiC
典型关闭延迟时间:	57 ns
典型接通延迟时间:	29 ns
单位重量:	6 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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