CLB800M12HM3P

Name: Wolfspeed CLB800M12HM3P
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-CLB800M12HM3P
Price: 24200.83 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

941-CLB800M12HM3P

制造商编号：

CLB800M12HM3P

制造商：

Wolfspeed

说明：

MOSFET模块 SiC Module, 800 A, 1200 V, 62 mm, HM3P, Common-Source, Industrial

寿命周期:

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数据表:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Wolfspeed
产品种类:	MOSFET模块
技术:	SiC
安装风格:	Screw Mount
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	1.051 kA
Rds On-漏源导通电阻:	1.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 8 V, + 19 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.9 V
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	2.54 kW
封装:	Bulk
商标:	Wolfspeed
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	US
高度:	12.65 mm
长度:	110 mm
产品:	Modules
产品类型:	MOSFET Modules
工厂包装数量:	1
子类别:	Discrete and Power Modules
宽度:	65 mm
单位重量:	179 g

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数据表

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Cree SiC高性能半桥模块

Wolfspeed HM3高性能半桥模块是经过开关优化的全碳化硅低电感半桥模块，尺寸小巧 (110mm x 65mm x 12.2mm)。HM3元件采用经过开关优化的第三代碳化硅MOSFET技术。兼容62mm的轻质ALSiC基板支持系统改造。其他特性包括+175°C工作结温和高可靠性氮化硅绝缘体。HM3高性能半桥模块非常适合用于铁路/牵引、太阳能、电动汽车充电器以及工业自动化/测试应用。