AFGY100T65SPD

onsemi
863-AFGY100T65SPD
AFGY100T65SPD

制造商：

说明：
绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS3 IGBT 650V/100A AND AUTO STEALTH DIODE

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解onsemi AFGY100T65SPD详情

库存量: 1,771

库存：
1,771 可立即发货
生产周期：
17 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥102.9769 ¥102.98
¥62.037 ¥620.37
¥57.9803 ¥6,957.64

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
TO-247-3LD
Through Hole
Single
650 V
1.6 V
- 20 V, 20 V
120 A
660 W
- 55 C
+ 175 C
AFGY100T65SPD
Tube
商标: onsemi
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 30
子类别: IGBTs
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

AFGY100/AFGY120T65SPD场终止沟槽型IGBT

安森美半导体AFGY100T65SPD和AFGY120T65SPD场终止型沟槽IGBT符合AEC-Q101标准，导通和开关损耗极低。借助这些特性，可在各种应用中实现高效率运行，具有出色的瞬态可靠性和低EMI。

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。