AFGY120T65SPD

onsemi
863-AFGY120T65SPD
AFGY120T65SPD

制造商：

说明：
绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS3 IGBT 650V/120A AND AUTO STEALTH DIODE

数据表:
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库存量: 1,027

库存：
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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥116.8759 ¥116.88
¥71.1335 ¥711.34

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
Single
650 V
1.6 V
- 20 V, 20 V
160 A
714 W
- 55 C
+ 175 C
AFGY120T65SPD
Tube
商标: onsemi
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 30
子类别: IGBTs
找到的产品:
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

AFGY100/AFGY120T65SPD场终止沟槽型IGBT

安森美半导体AFGY100T65SPD和AFGY120T65SPD场终止型沟槽IGBT符合AEC-Q101标准，导通和开关损耗极低。借助这些特性，可在各种应用中实现高效率运行，具有出色的瞬态可靠性和低EMI。

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