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FFSD10120A

Name: onsemi FFSD10120A
Brand: onsemi
SKU: 512-FFSD10120A
Price: 51.24 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

512-FFSD10120A

制造商编号：

FFSD10120A

制造商：

onsemi

说明：

碳化硅肖特基二极管 Silicon Carbide Schottky Diode

数据表:

FFSD10120A 数据表 (PDF)

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封装:

整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥57.9012	¥57.90
	¥39.1206	¥391.21
	¥29.1201	¥2,912.01
	¥28.2839	¥28,283.90
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥27.459	¥68,647.50

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	碳化硅肖特基二极管
RoHS:
REACH - SVHC:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DPAK-3 (TO-252-3)
配置:	Single
If - 正向电流:	10 A
Vrrm - 重复反向电压:	1.2 kV
Vf - 正向电压:	1.45 V
Ifsm - 正向浪涌电流:	90 A
Ir - 反向电流 :	200 uA
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
系列:	FFSD10120A
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	onsemi
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	KR
Pd-功率耗散:	283 W
产品类型:	SiC Schottky Diodes
工厂包装数量:	2500
子类别:	Diodes & Rectifiers
商标名:	EliteSiC
Vr - 反向电压 :	1.2 kV
单位重量:	260.370 mg

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数据表

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PCN

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

碳化硅肖特基二极管

安森美半导体碳化硅 (SiC) 肖特基二极管与硅器件相比，具有出色的开关性能和更高的可靠性。这些碳化硅肖特基二极管无反向恢复电流，并具有温度独立的开关特性及出色的热性能。该器件可实现如下系统优势：提高系统效率、加快工作频率、提高功率密度、降低EMI、减小系统尺寸并降低成本。安森美半导体的650V和1200V器件有各种电流和封装选项可供选择，非常适合用于下一代电源系统设计。

D1 EliteSiC二极管

安森美 (onsemi) D1 EliteSiC二极管是一套高性能、多功能解决方案，设计用于现代电力电子应用。安森美 (onsemi) D1的额定电压为650V、1200V和1700V。这些二极管可灵活地满足各种设计要求。D1 EliteSiC二极管采用不同封装，如D2PAK2、D2PAK3、TO-220-2、TO-247-2和TO-247-3，可为设计人员应用提供各种优化电路板空间和散热性能的选项。

宽禁带SiC器件

安森美 (onsemi) 宽禁带 (WBG) 碳化硅 (SiC) 器件采用全新技术，与硅器件相比，可提供更出色的开关性能和更高的可靠性。这些器件可实现多种系统优势，包括：提高系统效率、加快工作频率、提高功率密度、降低EMI、减小系统尺寸以及降低成本。安森美的SiC产品系列包括650V和1200V二极管、650V和1200V IGBT以及SiC二极管功率集成模块 (PIM)、1200V MOSFET和SiC MOSFET驱动器，以及符合AEC-Q100标准的器件。

1200V碳化硅肖特基二极管

安森美半导体1200V碳化硅 (SiC) 肖特基二极管与硅器件相比，具有出色的开关性能和更高的可靠性。这些碳化硅肖特基二极管无反向恢复电流，并具有温度独立的开关特性及出色的热性能。该器件可实现如下系统优势：提高系统效率、加快工作频率、提高功率密度、降低EMI、减小系统尺寸并降低成本。

能源基础设施解决方案

安森美 (onsemi) 能源基础设施解决方案旨在解决不断发展变化的能源产生、分配和存储问题，从而达到政府政策设定的目标并满足不断增长的消费需求。能源基础设施的演变重点关注以下方面：提高效率目标、减少二氧化碳排放量以及重视可再生清洁能源。安森美提供全面的高能效解决方案，可满足各种大功率应用的苛刻要求，包括碳化硅 (SiC) 二极管、智能功率模块和电流检测放大器。