FFSH50120A

onsemi
863-FFSH50120A
FFSH50120A

制造商：

说明：
碳化硅肖特基二极管 1200V 10A SIC SBD

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库存量: 282

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¥-.--
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数量 单价
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¥144.3349 ¥1,443.35
¥129.95 ¥15,594.00
1,020 报价

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 碳化硅肖特基二极管
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-2
Single
50 A
1.2 kV
1.45 V
280 A
200 uA
- 55 C
+ 175 C
FFSH50120A
Tube
商标: onsemi
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
Pd-功率耗散: 736 W
产品类型: SiC Schottky Diodes
工厂包装数量: 30
子类别: Diodes & Rectifiers
商标名: EliteSiC
Vr - 反向电压 : 1.2 kV
单位重量: 5.321 g
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
854110090
MXHTS:
8541100101
ECCN:
EAR99

FFSH碳化硅肖特基二极管

安森美半导体FFSH碳化硅 (SiC) 肖特基二极管可提供更高的系统效率，最高结温为175º。这些肖特基二极管具有高浪涌电流能力，无开关损耗。这些二极管使用碳化硅半导体材料，不仅可提高工作频率、增加功率密度，还可降低系统尺寸/成本。这样可以确保在浪涌或过电压条件下保持高可靠性和稳健性。

1200V碳化硅肖特基二极管

安森美半导体1200V碳化硅 (SiC) 肖特基二极管与硅器件相比，具有出色的开关性能和更高的可靠性。这些碳化硅肖特基二极管无反向恢复电流，并具有温度独立的开关特性及出色的热性能。该器件可实现如下系统优势：提高系统效率、加快工作频率、提高功率密度、降低EMI、减小系统尺寸并降低成本。

宽禁带SiC器件

安森美 (onsemi) 宽禁带 (WBG) 碳化硅 (SiC) 器件采用全新技术，与硅器件相比，可提供更出色的开关性能和更高的可靠性。这些器件可实现多种系统优势，包括：提高系统效率、加快工作频率、提高功率密度、降低EMI、减小系统尺寸以及降低成本。安森美的SiC产品系列包括650V和1200V二极管、650V和1200V IGBT以及SiC二极管功率集成模块 (PIM)、1200V MOSFET和SiC MOSFET驱动器，以及符合AEC-Q100标准的器件。

D1 EliteSiC二极管

安森美 (onsemi) D1 EliteSiC二极管是一套高性能、多功能解决方案，设计用于现代电力电子应用。 安森美 (onsemi) D1的额定电压为650V、1200V和1700V。 这些二极管可灵活地满足各种设计要求。D1 EliteSiC二极管采用不同封装，如D2PAK2、D2PAK3、TO-220-2、TO-247-2和TO-247-3，可为设计人员应用提供各种优化电路板空间和散热性能的选项。

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