FFSP3065B

onsemi
863-FFSP3065B
FFSP3065B

制造商：

说明：
碳化硅肖特基二极管 SIC DIODE 650V 30A

数据表:
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库存量: 354

库存：
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16 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥57.9803 ¥57.98
¥32.8378 ¥328.38
¥30.3518 ¥3,035.18
¥25.6397 ¥12,819.85

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 碳化硅肖特基二极管
RoHS:  
Through Hole
TO-220-2
Single
30 A
650 V
1.38 V
110 A
40 uA
- 55 C
+ 175 C
FFSP3065B
Tube
商标: onsemi
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
Pd-功率耗散: 197 W
产品类型: SiC Schottky Diodes
工厂包装数量: 50
子类别: Diodes & Rectifiers
商标名: EliteSiC
Vr - 反向电压 : 650 V
单位重量: 4.862 g
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

CNHTS:
8541100000
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

D1 EliteSiC二极管

安森美 (onsemi) D1 EliteSiC二极管是一套高性能、多功能解决方案，设计用于现代电力电子应用。 安森美 (onsemi) D1的额定电压为650V、1200V和1700V。 这些二极管可灵活地满足各种设计要求。D1 EliteSiC二极管采用不同封装，如D2PAK2、D2PAK3、TO-220-2、TO-247-2和TO-247-3，可为设计人员应用提供各种优化电路板空间和散热性能的选项。

D2 EliteSiC二极管

onsemi D2 EliteSiC二极管是一系列高性能二极管，设计用于需要650V额定电压的应用。 onsemi D2提供多种封装选项，包括DPAK-3、D2PAK-2、D2PAK-3、PQFN-4、TO-220-2、TO-220-3、TO-247-2和TO-247-3。 这些二极管具有低电容电荷（QC），优化用于具有低正向电压的高速开关。由于具有各种特征，这些二极管非常适用于功率因数校正（PFC）和输出整流应用。

650V SiC肖特基二极管

安森美 (onsemi) 650V碳化硅 (SiC) 肖特基二极管与硅器件相比，具有出色的开关性能和更高的可靠性。这些碳化硅肖特基二极管无反向恢复电流，并具有温度独立的开关特性及出色的热性能。该器件可实现如下系统优势：提高系统效率、加快工作频率、提高功率密度、降低EMI、减小系统尺寸并降低成本。

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