NCV5705BDR2G

onsemi
863-NCV5705BDR2G
NCV5705BDR2G

制造商：

说明：
栅极驱动器 GATE DRIVER WITH LOW UVLO THRESHOLDS

数据表:
ECAD模型:
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库存量: 8,714

库存：
8,714
可立即发货
在途量:
10,000
生产周期：
23
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥19.8541 ¥19.85
¥12.8255 ¥128.26
¥12.1588 ¥303.97
¥8.7688 ¥876.88
¥6.9721 ¥3,486.05
¥6.8365 ¥6,836.50
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
¥5.8082 ¥14,520.50
¥5.5822 ¥27,911.00

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
IGBT, MOSFET Gate Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
SOIC-8
1 Driver
1 Output
4 A
0 V
20 V
Inverting
9.2 ns
7.9 ns
- 40 C
+ 125 C
NCV5705B
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: PH
产品类型: Gate Drivers
工厂包装数量: 2500
子类别: PMIC - Power Management ICs
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

NCV/NCD5705B IGBT栅极驱动器

安森美半导体NCV5705B和NCD5705B IGBT栅极驱动器是大电流、高性能独立IGBT驱动器，适用于大功率汽车应用。通过消除外部输出缓冲器，这些驱动器提供高性价比解决方案。安森美半导体NCV5705B和NCD5705B IGBT驱动器具有低开关损耗和短开关时间、双极电源支持、增强型可编程保护和宽偏置电压范围。这些驱动器符合RoHS指令，采用8引脚SOIC封装。典型应用包括正温度系数 (PTC) 加热器、牵引逆变器、高压 (HV) 直流－直流和车载电池充电器 (OBC)。

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